МОНГОЛ УЛСЫН ИХ СУРГУУЛЬ

Бидний тухай


Багш ажилтан

 /  Бидний тухай  /  Багш ажилтан /  Дэлгэрэнгүй мэдээлэл

Дэлгэрэнгүй мэдээлэл


Судалгааны чиглэл:
Мэдээллийг профессор, багш, ажилтан МУИС-ийн мэдээллийн санд бүртгүүлснээр танд харуулж байна. Мэдээлэл дутуу, буруу тохиолдолд бид хариуцлага хүлээхгүй.
Зохиогч(ид): Г.Мөнхбаяр
"THERMAL ANNEALING EFFECTS ON THE RAMAN AND PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF MONO AND FEW-LAYER MOS2 FILMS", International Conference on Materials Science-2023, Хятад, 2023-12-10, vol. 11, pp. 8

Хураангуй

In this study, we report that the thermal treatment effects on the Raman and photoluminescence (PL) spectra of mono and few-layer MoS2 films by annealing in the vacuum and air at 300ºC, respectively. The MoS2 film samples were prepared on silicon substrate by exfoliating from a bulk MoS2 crystal with a micromechanical exfoliation. For characterization of structural properties of the MoS2 films and identification of the Raman active modes, Raman spectrometer equipped with a He-Ne laser source and an optical microscope has been used. The results show that the vacuum annealing 7L MoS2 decreases the Full Width at Half Maximum (FWHM) of the Raman active modes as E12g, A1g and the vacuum annealing 1L MoS2 increases the PL intensity and peak energy, for 60% and 13.3meV, respectively also air annealing bilayer MoS2 increased the PL intensity (IA) and peak energy (EA), respectively for 85% and 15.4 meV (3000C for 40 min). After thermal annealing (vacuum and air), we observe that the indirect bandgap of the few-layer MoS2 was changed.

Зохиогч(ид): Г.Мөнхбаяр
"Investigations of optical and electronic properties of two-dimensional MoS2 ", Монголын физикийн нийгэмлэгийн эрдэм шинжилгээний хурал - 2023, 2023-11-3, vol. 1, pp. 34-39

Хураангуй

2004 онд графены нэг атомын давхаргыг илрүүлсэнээс хойш сүүлийн 10-аад жилд хоёр хэмжээст материалын судалгаа эрдэмтдийн сонирхлыг татсаар байна. MoS2 нь олон үеэс тогтдог бөгөөд үеүүд нь хоорондоо Ван дер Ваальсын сул харилцан үйлчлэлээр, харин нэг үе доторхи Mo ба S нь ковалентын хүчтэй харилцан үйлчлэлээр холбогддог. MoS2 нь цул бүтэцтэй үед шууд биш шилжилттэй, хориотой зоны өргөн нь 1.2 эВ ба харин нэг үет бүтэцтэй байхад шууд шилжилттэй, хориотой зоны өргөн нь 1.8 эВ байдаг. Энэ өвөрмөц шинж чанартай холбоотойгоор 2 хэмжээст MoS2-ыг сүүлийн жилүүдэд наноэлектроник ба оптоэлектроникийн төхөөрөмжүүдэд хэрэглэх боломжтойг судлаачид харуулсаар байна. Энэ чиглэлийн судлаачдын үр дүнгээс үзэхэд том хэмжээтэй 1 болон олон үет молибдений дисульфидийг гарган авах, үеийн тоог тодорхойлох зайлшгүй шаардлага тулгардаг. Ийм учраас эдгээр асуудлыг шийдэхийн тулд судалгааны ажлын зорилгоо дараах байдлаар дэвшүүлсэн. Үүнд: 1. Механик хуулах аргаар боломжит том хэмжээтэй нэг болон олон үеүүдийг гарган авах оновчтой горимыг тогтоох, тэдгээрийн оптик болон электронон шинж чанарыг үеийн тооноос хамааруулан судлах 2. Раман спектроскоп болон Фотолюминесценцийн спектроскопийн хэмжилтийн үр дүнг боловсруулж, Раманы пикийн болон шууд шилжилтэд харгалзах А пикийн талбай үеийн тооноос хэрхэн хамаарах зүй тогтлыг тогтоох 3. Оптик микроскоп ашиглан молибдений дисульфидийн нэг болон олон үеүүдийн оптик ялгарал (contrast)-ыг тодорхойлж, үеийн тооноос хэрхэн хамаарахыг үнэлэх 4. Дулаан боловсруулалт молибдений дисульфидийн торын эвдрэл болон кристал бүтцэд хэрхэн нөлөөлөхийг судлах

Зохиогч(ид): Г.Мөнхбаяр
"Хоёр хэмжээст молибдений дисульфидийн (MoS2) оптик болон электронон шинж чанарын судалгааны зарим үр дүн" Mongolian Journal of Physics, vol. 5, pp. 14-19, 2023-10-5

https://sites.google.com/view/mongphys/home

Хураангуй

2004 онд графены нэг атомын давхаргыг1 илрүүлсэнээс хойш сүүлийн 10-аад жилд хоёр хэмжээст материалын судалгаа эрдэмтдийн сонирхлыг татсаар байна. MoS2 нь олон үеэс тогтдог бөгөөд үеүүд нь хоорондоо Ван дер Ваальсын сул харилцан үйлчлэлээр, харин нэг үе доторхи Mo ба S нь ковалентын хүчтэй харилцан үйлчлэлээр холбогддог. MoS2 нь цул бүтэцтэй үед шууд биш шилжилттэй, хориотой зоны өргөн нь 1.2 эВ3 ба харин нэг үет бүтэцтэй байхад шууд шилжилттэй, хориотой зоны өргөн нь 1.8 эВ2,4 байдаг. Энэ өвөрмөц шинж чанартай холбоотойгоор 2 хэмжээст MoS2-ыг сүүлийн жилүүдэд наноэлектроник ба оптоэлектроникийн төхөөрөмжүүдэд хэрэглэх боломжтойг судлаачид харуулсаар байна. Цул молибдений дисульфидээс нэг болон олон үеүүдийг механик хуулах арга, химийн ууршуулалтаар гарган авах үндсэн 2 арга байдаг. Эдгээрээс бид механик хуулах аргыг сонгон авч туршилтаа хийсэн. Энэ аргаар гарган авах нь харьцангуй бага зардалтай боловч, нарийн нямбай ажиллагаа шаарддаг. Судлаачид механик хуулах аргаар дээжийг гарган авсан гэдэг боловч яаж хэрхэн гарган авах тухай дэлгэрэнгүй мэдээлэл байдаггүй. Дээж гарган авахад хамгийн гол нөлөөлөх зүйл бол суурийг (substrate) нарийн цэвэрлэх ажиллагаа чухал юм. Цахиурын оксидийг суурь болгон сонгон авч түүний цэвэрлэгээний олон янзын туршилтыг хийж гүйцэтгэсэн. Үүнд: зүсэж авсан сууриа сайтар цэвэрлэхийн тулд ацетон, изопропан, нэрмэл усанд хийж тухай бүрт нь 15 минут 40кГц-ийн давтамжтай хэт авианы вананд (давтамж чухал нөлөөтэй) цэвэрлэж дээж гаргаж авах нь илүү үр дүнтэй байсан. Дээжийг гарган авсны дараа цавуу болон бусад бохирдуулагчийг зайлуулахын тулд ацетон, изопропан, нэрмэл усанд хийж тус бүр нь 10 минут 400С-т халааж сайтар цэвэрлэсэн. Энэ нь дээжийг гарган авах оновчтой горим гэдгийг бидний олон удаагийн туршилт харууллаа.

Зохиогч(ид): Г.Мөнхбаяр, Ж.Даваасамбуу, Э.Номин-Эрдэнэ
"Thermal Annealing Effects on the Raman and Photoluminescence Properties of Mono and Few-Layer MoS2 Films" Key engineering Materials, vol. 943, no. 1662-9795, pp. 173-178, 2023-5-15

https://www.scientific.net/KEM.943.173.pdf

Хураангуй

In this study, we report that the thermal treatment effects on the Raman and photoluminescence (PL) spectra of mono and few-layer MoS2 films by annealing in the vacuum and air at 300ºC, respectively. The MoS2 film samples were prepared on silicon substrate by exfoliating from a bulk MoS2 crystal with a micromechanical exfoliation. For characterization of structural properties of the MoS2 films and identification of the Raman active modes, Raman spectrometer equipped with a He-Ne laser source and an optical microscope has been used. The results show that the vacuum annealing 7L MoS2 decreases the Full Width at Half Maximum (FWHM) of the Raman active modes as E1 2g, A1g and the vacuum annealing 1L MoS2 increases the PL intensity and peak energy, for 60% and 13.3meV, respectively also air annealing bilayer MoS2 increased the PL intensity (IA) and peak energy (EA), respectively for 85% and 15.4 meV (3000 C for 40 min). After thermal annealing (vacuum and air), we observe that the indirect bandgap of the few-layer MoS2 was changed.

Зохиогч(ид): Э.Номин-Эрдэнэ, Ц.Хос-Очир, О.Одгэрэл, Н.Төвжаргал, Г.Эрдэнэ-Очир, Г.Мөнхбаяр, Ж.Даваасамбуу
"Thickness optimization of a monometallic plasmonic structure for a surface-plasmon resonance biosensor" МУИС Эрдэм шинжилгээний бичиг Физик, vol. 531, no. 31, pp. 1, 2020-11-6

https://sites.google.com/view/mongphys/journals/physcience

Хураангуй

Surface-plasmon resonance (SPR) effect in thin metal films is highly sensitive to the dielectric refractive index changes in the vicinity of metal interface and the conventional Kretschmann configuration has been widely used in the SPR measurement. In this work we have presented the thickness optimization for a monometallic plasmonic structure using the prism-based Kretschmann configuration in angular and spectral interrogation. He-Ne laser with wavelength of 632.8 nm as an optical source, a thin gold layer deposited onto the glass substrate and a BK7 glass prism were applied for this studies. Based on the numerical analysis with variation of metallic layer thickness, angle of incidence and wavelength we will obtain the resonance parameters, such as reflectivity and phase. Experimentally, the SPR spectra of a pure gold sensing surface has been studied. With functionalizing with specific antigen molecules on the surface of the gold layer, this optimized settings can be further used as biosensing purpose for detection of certain analytes.

Зохиогч(ид): Э.Номин-Эрдэнэ, П.Мөнхбаатар, Ц.Хос-Очир, Н.Төвжаргал, Г.Мөнхбаяр, Г.Эрдэнэ-Очир, Ж.Даваасамбуу
"Simulation of femtosecond pulse in a Kerr-lens mode locked Ti: sapphire laser" IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, vol. 704, no. 1, pp. 012008, 2019-12-1

Хураангуй

The Kerr-lens mode-locking (KLM) is known as a suitable method for generation of femtosecond pulses and mode-locked Ti:sapphire laser is now widely used sources of stable, energetic femtosecond pulses. We will present the simulation of KLM in Ti:sapphire laser cavities with a folded-cavity four-mirror by applying the ABCD ray-tracing technique for a Gaussian beam. Simulations will be performed for an asymmetric resonator design. Based on the numerical analysis, we will find the optimum design parameters (slit position, gain cavity spacing, gain medium position) for KLM.

Зохиогч(ид): Э.Номин-Эрдэнэ, П.Мөнхбаатар, Ц.Баатарчулуун, Ц.Хос-Очир, Н.Төвжаргал, Г.Мөнхбаяр, Г.Эрдэнэ-Очир, Ж.Даваасамбуу, Д.Өнөрбилэг
"Simulation of femtosecond pulse in a Kerr-lens mode-locked Ti:sapphire laser" МУИС Эрдэм шинжилгээний бичиг Физик, vol. 29, no. 518, pp. 1, 2019-9-25

Хураангуй

The Kerr-lens mode-locking (KLM) is known as a suitable method for generation of femtosecond pulses and mode-locked Ti:sapphire laser is now widely used sources of stable, energetic femtosecond pulses. We will present the simulation of KLM in Ti:sapphire laser cavities with a folded-cavity four-mirror by applying the ABCD ray-tracing technique for a Gaussian beam. Simulations will be performed for an asymmetric resonator design. Based on the numerical analysis, we will find the optimum design parameters (slit position, gain cavity spacing, gain medium position) for KLM.

Зохиогч(ид): Э.Номин-Эрдэнэ, Н.Төвжаргал, П.Мөнхбаатар, Ц.Баатарчулуун, Ц.Хос-Очир, Г.Мөнхбаяр, Г.Эрдэнэ-Очир, Ж.Даваасамбуу
"Simulation of Femtosecond pulse in a Kerr-lens mode-locked Ti:sapphire laser” ", International Conference on Materials Science (ICMS2019)-VIII, ОХУ, 2019-8-24, vol. VIII, pp. 461

Хураангуй

Керр-линз мод синхронизация (КМС) известна как подходящий метод генерации фемтосекундных импульсов, а Ti: сапфировый лазер с синхронизацией мод в настоящее время широко используется в стабильных энергичных фемтосекундных импульсах. Мы представим моделирование КМС в резонаторах Ti: сапфирового лазера со свернутым резонатором, применяя метод трассировки лучей ABCD для гауссовского пучка. Моделирование будет работать для асимметричной конструкции резонатора. Будут обсуждаться синхронизация мод с жесткой апертурой и усиление мод с мягкой апертурой. На основе численного анализа мы найдем оптимальные параметры конструкции (положение щели, расстояние между полостями усиления, положение среды усиления) для КМС. Ключевые слова: Самофокусировка, Керр-линз, Чувствительность смещения.

Зохиогч(ид): Ц.Хос-Очир, П.Мөнхбаатар, Ц.Баатарчулуун, Б.Өлзийбаяр, Н.Төвжаргал, Г.Эрдэнэ-Очир, Г.Мөнхбаяр, М.Отгонбаатар, Ж.Даваасамбуу
"Femtosecond Pump Probe Spectroscopy Implementation for Semiconductors" Solid State Phenomena, vol. 288, pp. 148, 2019-3-1

Хураангуй

Two different pump-probe (PP) setups were developed successfully with different femtosecond pulse lasers. Using a PP setup with an ultra-short pulse laser, the excitation of coherent phonons in GaAs was measured for a calibration and an accuracy test of the developed setup. The frequencies of the coherent phonon modes were in good agreement with reported values [1, 2]. The setups for ZnSe and GaAs were transmission and reflection–type, respectively. When using the ultra-short pulse laser, the signal in the PP experiment was measured by a balanced photo diode. In the other PP experimental setup, built to measure the transient transmittance of bulk ZnSe, the light source and detector differed from the previous PP setup. A strong pulse laser was successfully used for the spectrally resolved pump probe experimental setup. A broadband, high-resolution spectrometer (HR4000CG-UV-NIR) was used as the detector.





Сул хараатай иргэдэд
зориулсан хувилбар
Энгийн хувилбар